SSD Samsung 850 EVO 250GB 2.5" SATA-3 (MZ-75E250B) 6.8mm Seq. R/W 540/520MB/sec 94k/88k IOPS BOX

Фото SSD Samsung 850 EVO 250GB 2.5" SATA-3 (MZ-75E250B) 6.8mm Seq. R/W 540/520MB/sec 94k/88k IOPS BOX

Нет в наличии

Описание:

Твердотельный накопитель Samsung 850 EVO (MZ-75E250B) благодаря новейшей технологии Samsung 3D V-NAND, SSD-накопители серии 850 Evo сочетает большой объем и великолепную надежность с непревзойденной скоростью передачи данных и при последовательном, и при случайного доступе к ним. SSD-накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую взаимные помехи, а увеличение емкости достигается за счет расположения их в несколько слоев — без ущерба для надежности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 Evo имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно емкую, быструю и надежную, преодолев все основные недостатки традиционной планарной NAND-архитектуры. Подобно переключению на более высокую передачу в автомобиле, программа Samsung Magician позволит вам еще больше увеличить скорость работы SSD, включив режим RAPID. Он использует свободную оперативную память компьютера в качестве интеллектуального кэша — и поэтому особенно эффективен для ПК с большим объемом ОЗУ. SSD-накопитель серии 850 Evo позволит вашему ноутбуку работать не только быстрее, но и дольше — благодаря высокоэффективному управлению энергопотреблением. В специальном режиме сна DIPM (Device Initiated Link Power Management) SSD-накопитель 850 Evo потребляет всего лишь 2 мВт — в десятки раз меньше, чем типичные SSD-накопители без поддержки DIPM, не говоря уже об обычных жёстких дисках. Кроме того, использование 3D V-NAND и буферной памяти типа LPDDR2 вместо обычно DDR2 или DDR3 позволяет снизить энергопотребление накопителя даже при активной работе.

Характеристики:

Объем 250 ГБ
Скорость чтения до 540 МБ/сек
Скорость записи до 520 МБ/сек
Энергопотребление Режим ожидания: 50 мВт 
Активность: 2.4 Вт
Время наработки на отказ 1.5 млн часов
Формфактор 2.5"
Устойчивость к ударным нагрузкам 1500 G в течении 0.5 мс
Интерфейс SATAIII
Тип ячеек памяти TLC (Triple Level Cell)
Тип накопителя Внутренний
Габариты 100 x 69.85 x 6.8 мм
Вес 66 г
Мы стараемся, чтобы описание и фото товара всегда соответствовало товару у нас на складе, в основном это так, но возможны некоторые ошибки/неточности, которые мы отслеживаем и корректируем по мере возможности, поэтому важную для Вас информацию о товаре уточняйте у менеджера
Каталог товаров
2016©0.4113