SSD Samsung 850 EVO 500Gb 2.5" SATA-3 (MZ-75E500B) 540/520Mb/s
Нет в наличии
| Тип ячеек памяти | 3D V-NAND |
| Контроллер | Samsung MGX |
| Интерфейс передачи данных | 6.0 Гбит/с |
| Макс. скорость чтения, до | 540 МБ/с |
| Макс. скорость записи, до | 520 МБ/с |
| Устойчивость к ударным нагрузкам (макс.) | 1500 G, в течение 0.5 мс (полусинусоидальный импульс) |
| Устойчивость к вибрации (макс.) | 20 G (80~2000 Гц) |
| Время наработки на отказ (MTBF) | 1.5 млн. часов |
| TBW | 150 TB |
| Особенности | S.M.A.R.T, Auto Garbage Collection, TRIM, AES 256 |
| Уровень энергопотребления работа/ожидание |
3.5 Вт / 0.05 Вт |
| Адаптеры в комплекте | нет |
| Размеры | 100 × 69.9 × 6.8 мм |
| Вес | 55 г |
Описание:
Твердотельный накопитель Samsung 850 EVO относится к линейке SSD-накопителей Samsung, которые изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую взаимные помехи, а увеличение емкости достигается за счет расположения их в несколько слоев — без ущерба для надежности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 EVO имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно емкую, быструю и надежную, преодолев все основные недостатки традиционной планарной NAND-архитектуры. Подобно переключению на более высокую передачу в автомобиле, программа Samsung Magician позволит вам еще больше увеличить скорость работы SSD, включив режим RAPID. Он использует свободную оперативную память компьютера в качестве интеллектуального кэша — и поэтому особенно эффективен для ПК с большим объемом ОЗУ. SSD-накопитель серии 850 EVO позволит вашему ноутбуку работать не только быстрее, но и дольше — благодаря высокоэффективному управлению энергопотреблением. В специальном режиме сна DIPM (Device Initiated Link Power Management) SSD-накопитель 850 EVO потребляет всего лишь 2 мВт — в десятки раз меньше, чем типичные SSD-накопители без поддержки DIPM, не говоря уже об обычных жёстких дисках. Кроме того, использование 3D V-NAND и буферной памяти типа LPDDR2 вместо обычно DDR2 или DDR3 позволяет снизить энергопотребление накопителя даже при активной работе.